2010年02月25日

IGFET (Enhancement-mode)の記号考察

純粋な個別部品として用いて回路を組み上げたことが私自身殆どなく、今まで真剣に調べたことはなかったのだが、いろいろ文献を読んでいて疑問を感じたのでFETの記号をどうするか考えてみる。

最初に、よく見かけるMOSFETのシンボルを↓示す。

SymbolsOfIGFET(EM).PNG


ここ数年、私が使っているスケマ作成用のCADソフトはCADLUSである。絶縁ゲートFET(のエンハンスメント型)は、JIS(C0617-5)に拠れば(a)と表記にすることになっている。またトラ技の記事では多くの場合(b)で、工学書では(c)の表記を見かけることがある。デジタル系部品のデータシートではMIL記号を拝借して(d)と表現することが多く、私自身も手書きの場合は更に簡略化した(e)と記することが殆ど。思うに「デジタル回路ではサブストレイトがソースと繋がっているのは考えるまでもなく、つまりは書くまでもことであるし、寄生ダイオードとその極性を考慮する必要もない」としてしまっているのだろう。

ある程度判っている者にとってはどれも同じ意味で理解すると思うのだが、初学者にとって「別の意味を持つ(機能が異なる)半導体部品」として誤解されたり、簡略型の記号を正規の記号として覚えられてしまう危険が少々ある。で、今まで本ブログではCADLUSの記号をそのまま使っていたのだが、それが妥当か否か疑問に思い始めた。結論から先に書くと、

・純粋に二値論理でしか考えない回路内では(d)の記号を使う
・アナログ的な要素を含む回路内では(b)の記号を使う

と場合分けしようと思う。何故そうしようと思ったかを書くともはやブログに書く内容ではなくなるので省略。余談だが、Wiki で MOSFETを調べると次の様に書いてある。

>MOSFET(モスフェット、Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)は、

初耳だが。普通は「モス・エフイーティ」の筈。更に余談だが「μPA〜D」で始まるNECの部品名は「ミューピーエイ〜ディ」と読むのだが、こっちは一般に知られていないかも(NECの仕事をやると嫌でも覚える)。

http://www.necel.com/faq/ja/f_name.html#0101
posted by Masa at 21:11| Comment(0) | ブログ | 更新情報をチェックする
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