2007年09月09日

太陽光でNi-MH充電システム (6)

毎度本題から離れまくっているので、本ブログの熱心な訪問者はこのパターンに既に慣れてしまったと思う。が、油断は禁物だ。何故ならこのテーマから離れまくっていた為、作者自身も何処まで進めていたか判らなくなってしまったからだ(汗) というわけで、今回は仕様を整理してみようと思う。

先ず、今回のシステムの全体図を↓に示す(再掲)。

Ni-MHChargerSD.PNG

Ni-MHChargerSD2.PNGで、↑のようなゴージャスなシステム構成にして意味があるのか、という突っ込みは愚問だ。何故なら例えば←の図のように猫でも作れそうなシステムにしてしまうと、自作の愉しみも何もあったモンじゃないからだ。

てか、左図で良いのなら既に出来上がっているというか、実験だけは行った。太陽光発電パネルと、充電したい電池の数だけ1[A]流せるSBDがあれば手動充電が可能だし、これで「出来上がりだあ」と開き直っても無問題だと思う(汗)

が、今Digi-keyに頼んでいるFPGAが手元に届くまでは時間が掛かりそうだし、また何時本業からお呼ばれが来るか判らないが、それまでは単に凝ったシステムを作って遊んでみようと思ったわけだ。というわけで本システムのコンセプトについて以下に簡単に纏めておこうと思う。

SolarPower.PNG

最初に太陽光電源部の方式について。一般に(電力の長距離)送電は電圧を上げて行う。その方がロスが少なく合理的であることは高校物理で習った筈で、それは常識である。従って↑スケマ1の方がスケマ2より優れていると考えるのが自然だが、結局ケースバイケースでここでは「より大きな電流をロスなく太陽光発電パネルから取り出したい」という狙いがあり、「送電」ではないので↑スケマ2の方式を用いている。Ni-MHを並列充電するのに高い電圧は必要でなく、スケマ1から得た電力を変電して大きな電流を取り出そうとする方が変換ロスが大きくなってしまう、という意味である。

ChargeDriver.PNG

次にその電力をNi-MHに流し込むスイッチ部分について示したのが↑の回路図である。電力効率を考えるならFETを用いてスイッチング制御した方が良いのだが、それはそれで大がかりなシステムになってしまうので、ココではNPN型バイポーラトランジスタを使っている。

方式としてはスケマ3とスケマ4の方法が考えられ、それぞれ一長一短がある。スケマ3なら制御線(ctrl)の電圧は2[V]以下でも問題はないが、スケマ4ではNi-MHの電圧+0.6[V]くらいが最低でも必要。仮にNi-MHの電圧を1.5[V]とするならQをONにするのに約2.1[V]以上が必要だ。今回使うATmega48は、メーカが保証する2.7[V]以上にする必要があるし、その為にUPS付き昇圧器も用意して3.3[V](以上)を供給出来るようにしている。従ってその点は既にクリアしていて無問題。また、細かいことだがスケマ4ならQのベースに入れる電流をNi-MHに流し込めるのでスケマ3よりごく僅かではあるが無駄がない。

さて、最終的には↑スケマ5で示したように2SC1213Aを2個パラで使うことにした。コレクタ電流の絶対最大定格500[mA]とギリギリになってしまうし、許容損失が400[mW]なので1個だと場合によってはオーバしてしまうからである。大きく余裕を見て3パラの方が良いかも知れないが取り敢えず2パラにした。

Icharge.PNG更にベース電流を制限するRは330[Ω]とした。ctrlはATmega48の出力ポートに繋がり充電のOn/Off制御を行う。充電On時はctrlにマイコン側電源電圧が出力されることになる。但しATmega48のポート出力に幾らかのインピーダンス(FETのON抵抗)があるので、その分を含めるとRトータルは350〜400[Ω]くらいになることに注意が必要。それを考慮してNi-MH側電圧が0.9〜1.5[V]まで変化するものとして、どの位の充電電流になるかをExcelを使って簡易シミュレーションを行ってみた結果が←の表とグラフである。

ctrl電圧3.3[V]、R=375[Ω]、2SC1213A(ランクC)のhFE=100とし、電池電圧0.9[V]の時に480[mA]流れる計算となった。仕様として「充電電流は500[mA]を限度とする」ので一応条件は満たしてはいる。電圧の異なる複数のNi-MHに対して充電を行うものと仮定した場合、電圧の低い(残量の少ない)電池に対してより多く電流を突っ込むことになるが、それは「なるべく同時に全ての電池の充電を完了させる」狙いを実現出来るので都合が良い。

なお、Over Voltage Protectionの電圧(充電終止電圧)を1.5[V]とすれば、1.5[V]時には320[mA]流れ、内部抵抗を0.2[Ω]とすればNi-MHに掛かる電圧は1.436[V]という計算になり、コレくらいで抑えればNi-MHに大きなダメージを与えることはないだろうと考えている。問題ありそうならOVPを1.45[V]あたりに変更するつもりだ。

-- 続く --

posted by Masa at 23:11| Comment(2) | 自作 | 更新情報をチェックする
この記事へのコメント
はい、慣れました。
Posted by マイムーブ西村 at 2007年09月10日 18:53
ぐはッ!慣れないように!!
Posted by プレッシャ〜高橋 at 2007年09月10日 21:01
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